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國產高壓SiC MOSFET介紹及競品分析

海明觀察 ? 來源:電子發燒友網 ? 作者:李誠 ? 2021-09-15 09:34 ? 次閱讀
電子發燒友網報道(文/李誠)工業4.0時代及電動汽車快速的普及,工業電源、高壓充電器對功率器件開關損耗、功率密度等性能也隨之提高,傳統的Si-MosFet性能已被開發的接近頂峰,SiC MOSFET在開關頻率、散熱、耐壓、功率密度方面優勢更為凸顯。

下文主要對國產SiC MOSFET進行介紹并與國外相近參數的主流產品相對比。

國產1700V SiC MOSFET

(P3M173K0K31700V SiC MOSFET 圖片來源:派恩杰官網)

派恩杰2018年開始專注于第三代半導體SiC、GaN的功率器件的研究。公司成立半年后就研制出了首款650V GaN功率器件,在基于Gen3的技術上又推出了1200V SiC MOSFET,直至2021年派恩杰先后推出涵蓋了650V、1200V、1700V的SiC MOSFET,填補了國內高壓SiC MOSFET的空白市場。

P3M173K0K3是首款可國產化替代的1700V SiC MOSFET,此款SiC MOSFET最高耐壓值為1700V,由于該功率器件的耐壓值過高及內部結構的原因導致導通電阻相較于一般幾百伏特的功率器件的導通電壓較大,導通電壓為3Ω,門級電壓(動態)為-8V~19V、門級電壓(靜態)為-3V~15V,功耗為63W,額定電流為6A,工作溫度為-55攝氏度~175攝氏度,能在較寬的溫度區間內工作,可滿足更多的工作場景。該SiC MOSFET多用于太陽能逆變器、電動汽車電池充電器、高壓DCDC轉換器、工業開關電源等。P3M173K0K采用 TO-247-3封裝具體參數為16mm*21mm*5.2mm。
(派恩杰1700V系列SiC MOSFET 圖片來源:派恩杰官網)

派恩杰1700V系列SiC MOSFET一共有4款產品,導通電阻在1Ω~3Ω,額定電流為4A~6A,Qg2.19nC~24.4nC。派恩杰推出1700V SiC MOSFET適合輔助電源設計,更能勝任在特別需要更高耐壓以及雪崩等級的工業領域的設計要求,更快的開關速度,極小的開關損耗大幅降低了系統損耗,使得變換器高效化,同時可以通過高頻化讓電路中的磁性單元體積更小,重量更輕。極小的損耗加上更優異的熱傳導系數。進一步地簡化了輔助電源的結構,減少了元器件和驅動設計的復雜度,從而大幅降低了輔助開關電源系統成本。


(GC2M0045170D 圖片來源:國晶微官網)

無錫國晶微半導體是一家對第三代功率半導體、常規集成電路研發的企業,該公司現已研制出三個系列的SiC MOSFET,600V系列額定電流涵蓋2A~100A,1200V系列額定電流涵蓋2A~90A,1700V系列額定電流涵蓋5A~80A。本期文章主要講述1700V的高壓SiC MOSFET,其他系列不進行贅述。

GC2M0045170D是一款1700V的SiC MOSFET,此款SiC MOSFET最高耐壓值為1700V可應用于太陽能逆變器、電動汽車車載充電器、充電樁、軌道交通、工業電源等高壓工作設備。該功率器件的導通電阻為45mΩ,相較于派恩杰3Ω的導通電阻更小,能夠進一步地減小導通損耗。額定電流為72A,可在大功率設備上使用。門級電壓為-10V~25V,功耗為520W,可在-40攝氏度到150攝氏度的溫度環境下工作,與P3M173K0K3低溫-50攝氏度相比少了10攝氏度,工作環境溫度不如P3M173K0K3寬。GC2M0045170D采用TO-247-3封裝,封裝具體參數為16mm*21mm*5.2mm。

GC2M1000170D也是無錫國晶微半導體的1700V SiC MOSFET,此SiC MOSFET的導通電阻為1Ω,額定電流為5A,功耗為69W,可在-55℃~150℃的環境下正常工作,同樣采用TO-247-3的封裝。

1700V SiC MOSFET競品

( ROHM 1700V SiC MOSFET 圖片來源:ROHM官網 )

ROHM是全球知名半導體制造商,擁有SiC功率器件完整的生產鏈。據官網顯示ROHM以額定電壓區分,共有三個系列的產品,650V的有18件產品,1200V的有26件產品,1700V的有3件產品。從布局來看,ROHM主要還是注重650V和1200V的市場。

SCT2H12NZ是一款耐壓值為1700V SiC MOSFET,多用于輔助電源開關、開關電源等設備中。該SiC MOSFET的導通電阻為1.15Ω,同時具有非常高的電流密度,集成了第二代高電壓SiC功率MOSFET芯片,電流能夠達到3.7A。門級電流-6V~22V,功耗為35W,工作溫度為-55攝氏度到175攝氏度之間,SCT2H12NZ采用的是平面型結構,與650V和1200V產品采用的溝槽結構不同。此款SiC MOSFET具有低電阻、開關速度快,爬電距離長、驅動簡單等特點。得益于芯片設計,這款器件的成本極具競爭力。其柵極結構非常簡單,其封裝也為降低成本進行了優化。此 SiC MOSFET采用的是 TO-3PFM,具體參數為16mm*21mm*5.2mm。

通過對以上參數的統計發現,在耐壓強度相同的情況下,國產SiC MOSFET的導通電阻、功耗與ROHM相比還是有一定差距的,國產SiC MOSFET在這一方面還需要繼續努力,畢竟導通電阻直接影響開關損耗,開關損耗隨導通電阻增大而增大。在工作溫度范圍方面國晶微還是有些許不足。

總結

雖說國產高壓SiC MOSFET與國際一流水平還是有著些許的差距,但國內廠商也在不斷的探索開發,緊跟國際大廠的步伐,盡可能地縮小差距,相信國家政策的鼓勵和功率器件廠商技術的不斷突破下,總有一天會突出重圍,造出令人刮目相看的產品。
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或產品號的產品搜索能力 技術數據表下載和離線咨詢 訪問主要產品規格(主要電氣參數,產品一般說明,主要特點和市場地位) 對產品和數據表 能夠通過社交媒體或通過電子郵件共享技術文檔 適用于Android收藏節?和iOS?應用商店 ST-MOSFET-Finder是可用于Android?和iOS?的應用程序,它可以讓你探索的ST功率MOSFET產品組合使用便攜設備。您可以輕松地定義設備最適合使用參數搜索引擎應用程序。您還可以找到你的產品由于采用了高效的零件號的搜索引擎。...
發表于 05-20 17:05 ? 191次 閱讀

STEVAL-POE006V1 STEVAL-POE006V13.3V / 20A 有源鉗位正激轉換器 以太網供電(PoE)的IEEE 802.3bt標準的參考設計

805的PoE-PD接口的 特點: 系統在封裝中集成一個雙活性橋,熱插拔MOSFET和PoE的PD 支持傳統高功率,4對應用 100伏與0.2Ω總路徑電阻N溝道MOSFET,以每個有源橋 標識哪些種PSE(標準或傳統)它被連接到,并提供成功的符合IEEE 802.3af / AT / BT分類指示為T0,T1和T2信號的組合(漏極開路) 通過STBY,仿和RAUX控制信號智能操作模式選擇的PM8804 PWM控制器的 QFN 56 8x8mm封裝43個管腳和6個露出墊 特點: PWM峰值電流模式控制器 輸入操作電壓高達75伏 內部高電壓啟動調節器與20毫安能力 可編程固定頻率高達1MHz 可設置的時間 軟關閉(任選地禁用) 雙1A PK ,低側互補柵極驅動器 GATE2可以被關閉以降低功耗 80 %的最大占空比與內部斜率補償 QFN 16 3x3mm的封裝,帶有裸墊 此參考設計表示3.3 V,20 A轉換器解決方案非常適合各種應用,包括無線接入點,具有的PoE-PD接口和一個DC-DC有源鉗位正激變換器提供。...
發表于 05-20 12:05 ? 95次 閱讀

STEVAL-ISA165V1 用于與STP120N4F6 LLC諧振轉換器SRK2001自適應同步整流控制器

LLC諧振變換器的同步整流器,具有自適應的導通和關斷 V CC 范圍:4.5 V至32 V 最大頻率:500kHz的 對于N溝道MOSFET雙柵驅動器(STRD級驅動程序) SR MOSFET類型:STP120N4F6(40 N - 4.3MΩ)TO -220 符合RoHS 在STEVAL-ISA165V1是產品評估電路板,旨在演示SRK2001同步整流控制器的性能。所述SRK2001器具的控制方案特異于在使用的變壓器與繞組的全波整流中間抽頭次級LLC諧振轉換器的次級側同步整流。它提供了兩個高電流柵極驅動輸出(用于驅動N溝道功率MOSFET)。每個柵極驅動器被單獨地控制和聯鎖邏輯電路防止兩個同步整流器(SR)MOSFET同時導通。裝置的操作是基于兩者的導通和關斷的同步整流MOSFET的自適應算法。在快速的負載轉變或上述諧振操作期間,另外的關斷機構設置的基礎上,比較器ZCD_OFF觸發非常快的MOSFET關斷柵極驅動電路。該板包括兩個SR的MOSFET(在一個TO-220封裝),并且可以在一個現有的轉換器,作為整流二極管的替代很容易地實現。...
發表于 05-20 12:05 ? 99次 閱讀

STEVAL-IPMM15B STEVAL-IPMM15B基于STIB1560DM2T-L SLLIMM第二系列MOSFET IPM 1500W的電機控制電源板

電壓:125 - 400 VDC 額定功率:高達1500W的 允許的最大功率是關系到應用條件和冷卻系統 額定電流:最多6 A 均方根 輸入輔助電壓:高達20 V DC 單或用于電流檢測的三分流電阻(與感測網絡) 電流檢測兩個選項:專用的運算放大器或通過MCU 過電流保護硬件 IPM的溫度監測和保護 在STEVAL-IPMM15B是配備有SLLIMM(小低損耗智能模制模塊)第二串聯模塊的小型電動機驅動電源板第二系列n溝道超結的MDmesh?DM2快速恢復二極管(STIB1560DM2T-L)。它提供了一種用于驅動高功率電機,用于寬范圍的應用,如白色家電,空調機,壓縮機,電動風扇,高端電動工具,并且通常為電機驅動器3相逆變器的負擔得起的,易于使用的解決方案。...
發表于 05-20 10:05 ? 137次 閱讀

NCP81143 VR多相控制器

43多相降壓解決方案針對具有用戶可配置3/2/1相位的Intel VR12.5兼容CPU進行了優化。該控制器結合了真正的差分電壓檢測,差分電感DCR電流檢測,輸入電壓前饋和自適應電壓定位,為臺式機和筆記本電腦應用提供精確調節的電源。該控制系統基于雙邊沿脈沖寬度調制(PWM)與DCR電流檢測相結合,以降低的系統成本提供對動態負載事件的最快初始響應。它具有在輕負載運行期間脫落到單相的能力,并且可以在輕負載條件下自動調頻,同時保持優異的瞬態性能。 NCP81143提供兩個內部MOSFET驅動器,帶有一個外部PWM信號。提供高性能操作誤差放大器以簡化系統的補償。獲得專利的動態參考注入無需在閉環瞬態響應和動態VID性能之間進行折衷,從而進一步簡化了環路補償。獲得專利的總電流求和提供高精度的數字電流監控。 應用 終端產品 基于工業CPU的應用程序 信息娛樂,移動,自動化,醫療和安全 電路圖、引腳圖和封裝圖...
發表于 08-09 11:36 ? 565次 閱讀

NCV898031 非同步SEPIC /升壓控制器 2 MHz

031是一款可調輸出非同步2 MHz SEPIC / boost控制器,用于驅動外部N溝道MOSFET。該器件采用峰值電流模式控制和內部斜率補償。該IC集成了一個內部穩壓器,為柵極驅動器提供電荷。 保護功能包括內部設置軟啟動,欠壓鎖定,逐周期電流限制和熱關斷。 其他功能包括低靜態電流睡眠模式和微處理器兼容使能引腳。 特性 優勢 具有內部斜率補償的峰值電流模式控制 寬輸入電壓和負載范圍內的良好瞬態響應 1.2 V 2%參考電壓 準確的電壓調節 2 MHz固定頻率操作 卓越的瞬態響應,較小尺寸的濾波元件,基頻高于AM頻段 寬輸入電壓范圍3.2 V至40 V,45 V負載轉儲 適用于各種應用 輸入Und ervoltage Lockout(UVLO) 禁用欠壓條件下的啟動 內部軟啟動 減少啟動期間的浪涌電流 睡眠模式下的低靜態電流 非常低的關閉狀態電流消耗 逐周期電流限制保護 防止過電流情況 打嗝模式短路保護(SCP) 防止短路故障 熱關斷(TSD) 熱保護IC 應用 終端產品 啟動 - 停止系統 SEPIC(非反相降壓 - 升壓),升壓,反激...
發表于 07-29 19:02 ? 420次 閱讀
NCV898031 非同步SEPIC /升壓控制器 2 MHz

NCV8851-1 汽車平均電流模式控制器

1-1是一款可調輸出,同步降壓控制器,可驅動雙N溝道MOSFET,是大功率應用的理想選擇。平均電流模式控制用于在寬輸入電壓和輸出負載范圍內實現非常快速的瞬態響應和嚴格調節。該IC集成了一個內部固定的6.0 V低壓差線性穩壓器(LDO),為開關模式電源(SMPS)底柵驅動器提供電荷,從而限制了過多柵極驅動的功率損耗。該IC設計用于在寬輸入電壓范圍(4.5 V至40 V)下工作,并且能夠在500 kHz下進行10至1次電壓轉換。其他控制器功能包括欠壓鎖定,內部軟啟動,低靜態電流睡眠模式,可編程頻率,SYNC功能,平均電流限制,逐周期過流保護和熱關斷。 特性 優勢 平均電流模式控制 快速瞬態響應和簡單的補償器設計 0.8 V 2%參考電壓 可編程輸出電壓的嚴格公差 4.5 V至40 V的寬輸入電壓范圍 允許通過負載突降情況直接調節汽車電池 6.0 V低壓差線性穩壓器(LDO) 耗材柵極驅動器的內部電源 輸入UVLO(欠壓鎖定) 在欠壓條件下禁用啟動 內部軟啟動 降低浪涌電流并避免啟動時輸出過沖 睡眠模式下1.0μA的最大靜態電流 睡眠電流極低 自適應非重疊...
發表于 07-29 19:02 ? 529次 閱讀

LV5725JA 降壓轉換器 DC-DC 1通道

JA是一個降壓電壓開關穩壓器。 特性 優勢 寬輸入動態范圍:4.5V至50V 可在任何地方使用 內置過流逐脈沖保護電路,通過外部MOSFET的導通電阻檢測,以及HICCUP方法的過流保護 燒傷保護 熱關閉 熱保護 負載獨立軟啟動電路 控制沖擊電流 外部信號的同步操作 它可以改善發生兩個穩壓器IC之間的振蕩器時鐘節拍 電源正常功能 穩定性操作 外部電壓為輸出電壓高時可用 應用 降壓方式開關穩壓器 電路圖、引腳圖和封裝圖...
發表于 07-29 19:02 ? 318次 閱讀

FSEZ1317WA 集成了功率MOSFET的初級側調節PWM

代初級側調節(PSR)和高度集成的PWM控制器提供多種功能,以增強低功耗反激式轉換器的性能。 FSEZ1317WA的專有拓撲結構TRUECURRENT?可實現精確的CC調節,并簡化電池充電器應用的電路設計。與傳統設計或線性變壓器相比,可以實現低成本,更小,更輕的充電器。為了最大限度地降低待機功耗,專有綠色模式提供關斷時間調制,以在輕載時線性降低PWM頻率條件。綠色模式有助于電源滿足節能要求。 通過使用FSEZ1317WA,可以用很少的外部元件實現充電器并降低成本。 特性 30mW以下的低待機功率 高壓啟動 最少的外部元件計數 恒壓(CV)和恒流(CC)控制無二次反饋電路 綠色模式:線性降低PWM頻率 固定頻率為50kHz的PWM頻率以解決EMI問題 CV模式下的電纜補償 CV中的峰值電流模式控制模式 逐周期電流限制 V DD 使用Auto Restar進行過壓保護t V DD 欠壓鎖定(UVLO) 柵極輸出最大電壓鉗位在15V 自動重啟固定過溫保護 7導聯SOP 應用 電子書閱讀器 外部AC-DC商用電源 - 便攜消費型 外部AC-D...
發表于 07-29 19:02 ? 304次 閱讀

FSEZ1016A 帶有集成式MOSFET的初級端調節PWM控制器

度集成的PWM控制器具備多種功能,可增強低功率反激轉換器的性能.FSEZ1016A專有的拓撲簡化了電路設計,特別是電池充電器應用中的電路設計。與傳統設計或線性變壓器相比,它成本更低,尺寸更小,具有更輕的充電器。啟動電流僅為10μA,允許使用大啟動電阻以實現進一步的節能。為了最大限度地降低待機功耗,專有綠色模式提供了關斷時間調制,以在輕載條件下線性降低PWM頻率。綠色模式有助于電源達到節電要求。通過使用FSEZ1016A,充電器可以用極少的外部元件和最低的成本來完成.FSEZ1016A系列控制器提供7引腳SOIC封裝。 特性 恒壓(CV)和恒流(CC)控制( 通過飛兆專有的TRUECURRENT?技術實現精準恒定電流 綠色模式功能:線性降低PWM頻率 42 kHz的固定PWM頻率(采用跳頻來解決電磁干擾問題) 恒壓模式下的電纜補償 低啟動電流:10μA 低工作電流:3.5 mA 恒壓模式下的峰值電流模式控制 逐周期限流 V DD 過壓保護(帶自動重啟) V DD 欠壓鎖定(UVLO) 帶閂鎖的固定過溫保護(OTP) 采用SOIC-7封裝 應用 ...
發表于 07-29 19:02 ? 1300次 閱讀

NCP81231 降壓控制器 USB供電和C型應用

31 USB供電(PD)控制器是一款針對USB-PD C型解決方案進行了優化的同步降壓控制器。它們是擴展塢,車載充電器,臺式機和顯示器應用的理想選擇。 NCP81231采用I2C接口,可與uC連接,以滿足USB-PD時序,壓擺率和電壓要求。 NCP81231工作在4.5V至28V 特性 優勢 I2C可配置性 允許電壓曲線,轉換速率控制,定時等 帶驅動程序的同步降壓控制器 提高效率和使用標準mosfet 符合USB-PD規范 支持usb-pd個人資料 過壓和過流保護 應用 終端產品 USB Type C 網絡配件 消費者 停靠站 車載充電器s 網絡中心 桌面 電路圖、引腳圖和封裝圖...
發表于 07-29 19:02 ? 475次 閱讀

NCP81239 4開關降壓 - 升壓控制器 USB供電和C型應用

39 USB供電(PD)控制器是一種同步降壓升壓,經過優化,可將電池電壓或適配器電壓轉換為筆記本電腦,平板電腦和臺式機系統以及使用USB的許多其他消費類設備所需的電源軌PD標準和C型電纜。與USB PD或C型接口控制器配合使用時,NCP81239完全符合USB供電規范。 NCP81239專為需要動態控制壓擺率限制輸出電壓的應用而設計,要求電壓高于或低于輸入電壓。 NCP81239驅動4個NMOSFET開關,允許其降壓或升壓,并支持USB供電規范中指定的消費者和供應商角色交換功能,該功能適用??于所有USB PD應用。 USB PD降壓升壓控制器的工作電源和負載范圍為4.5 V至28 V. 特性 優勢 4.5 V至28 V工作范圍 各種應用的廣泛操作范圍 I2C接口 允許uC與設備連接以滿足USB-PD電源要求 將頻率從150 kHz切換到1200 kHz 優化效率和規模權衡 過渡期間的壓擺率控制 允許輕松實施USB-PD規范 支持USB-PD,QC2.0和QC3.0配置文件 過電壓和過流保護 應用 終端產品 消費者 計算 銷售點 USB Type-C USB PD 桌面 集線器 擴展...
發表于 07-29 19:02 ? 671次 閱讀

ADP3211 同步降壓控制器 7位 可編程 單相

1是一款高效的單相同步降壓開關穩壓控制器。憑借其集成驅動器,ADP3211經過優化,可將筆記本電池電壓轉換為高性能英特爾芯片組所需的電源電壓。內部7位DAC用于直接從芯片組或CPU讀取VID代碼,并將GMCH渲染電壓或CPU核心電壓設置為0 V至1.5 V范圍內的值。 特性 優勢 單芯片解決方案。完全兼容英特爾?IMVP-6.5 CPU和GMCH芯片組電壓調節器規格集成MOSFET驅動器。 提高效率。 輸入電壓范圍為3.3V至22V。 提高效率。 最差±7mV -case差分感應核心電壓誤差超溫。 提高效率。 自動節電模式可在輕負載運行期間最大限度地提高效率。 提高效率。 軟瞬態控制可降低浪涌電流和音頻噪聲。 當前和音頻縮減。 獨立電流限制和負載線設置輸入,以增加設計靈活性。 改進設計靈活性ity。 內置電源良好屏蔽支持電壓識別(VID)OTF瞬變。 提高效率。 具有0V至1.5V輸出的7位數字可編程DAC。 提高效率。 短路保護。 改進保護。 當前監聽輸出信號。 提高效率。 這是一款無鉛設備。完全符合RoHS標準和32引...
發表于 07-29 19:02 ? 459次 閱讀

NCP81149 具有SVID接口的單相電壓調節器 適用于計算應用

49是一款單相同步降壓穩壓器,集成了功率MOSFET,可為新一代計算CPU提供高效,緊湊的電源管理解決方案。該器件能夠在帶SVID接口的可調輸出上提供高達14A TDC的輸出電流。在高達1.2MHz的高開關頻率下工作,允許采用小尺寸電感器和電容器,同時由于采用高性能功率MOSFET的集成解決方案而保持高效率。具有來自輸入電源和輸出電壓的前饋的電流模式RPM控制確保在寬操作條件下的穩定操作。 NCP81149采用QFN48 6x6mm封裝。 特性 優勢 4.5V至25V輸入電壓范圍 針對超極本和筆記本應用進行了優化 支持11.5W和15W ULT平臺 符合英特爾VR12.6和VR12.6 +規格 使用SVID接口調節輸出電壓 可編程DVID Feed - 支持快速DVID的前進 集成柵極驅動器和功率MOSFET 小外形設計 500kHz~1.2MHz開關頻率 降低輸出濾波器尺寸和成本 Feedforward Ope輸入電源電壓和輸出電壓的比例 快線瞬態響應和DVID轉換 過流,過壓/欠壓和熱保護 防止故障 應用 終端產品 工業應用 超極本應用程序 筆記本應用程序 集成POL U...
發表于 07-29 19:02 ? 291次 閱讀

NCP81141 Vr12.6單相控制器

41單相降壓解決方案針對Intel VR12.6兼容CPU進行了優化。該控制器結合了真正的差分電壓檢測,差分電感DCR電流檢測,輸入電壓前饋和自適應電壓定位,為臺式機和筆記本電腦應用提供精確調節的電源。單相控制器采用DCR電流檢測,以降低的系統成本提供對動態負載事件的最快初始響應.NCP81141集成了內部MOSFET驅動器,可提高系統效率。提供高性能操作誤差放大器以簡化系統的補償。獲得專利的動態參考注入無需在閉環瞬態響應和動態VID性能之間進行折衷,從而進一步簡化了環路補償。獲得專利的總電流求和提供高精度的數字電流監控。 應用 終端產品 基于工業CPU的應用程序 信息娛樂,移動,自動化,醫療和安全 電路圖、引腳圖和封裝圖...
發表于 07-29 18:02 ? 694次 閱讀

NCP81147 低壓同步降壓控制器

47是一款單相解決方案,具有差分相電流檢測,同步輸入,遠程接地節能操作和柵極驅動器,可提供精確調節的電源。自適應非重疊柵極驅動和省電操作電路為服務器,筆記本和臺式機系統提供低開關損耗和高效率解決方案。提供高性能操作誤差放大器以簡化系統的補償。 NCP81147還具有軟啟動序列,精確的過壓和過流保護,用于電源軌的UVLO和熱關斷。 特性 優勢 內部高性能運算放大器 簡化系統補償 集成MOSFET驅動器 節省空間并簡化設計 熱關機保護 確保穩健的設計 過壓和過流保護 確保穩健設計 省電模式 在輕載操作期間最大限度地提高效率 支持5.0 V至19 V輸入 5.0 V至12 V操作 芯片使能功能通過OSC引腳 保證啟動進入預充電負載 內部軟啟動/停止 振蕩器頻率范圍為100 kHz至1000 kHz OCP準確度,鎖定前的四次重入時間 無損耗差分電感電流檢測 內部高精度電流感應放大器 20ns內部柵極驅動器的自適應FET非重疊時間 Vout從0.8V到3.3 V(5V,12V VCC) 熱能補償電流監測 ...
發表于 07-29 18:02 ? 571次 閱讀

NCP5230 低壓同步降壓控制器

0是一款單相解決方案,具有差分相電流檢測,同步輸入,遠程接地節能操作和柵極驅動器,可提供精確調節的電源。自適應非重疊柵極驅動和省電操作電路為服務器,筆記本和臺式機系統提供低開關損耗和高效率解決方案。提供高性能操作誤差放大器以簡化系統的補償。 NCP5230還具有軟啟動序列,精確的過壓和過流保護,用于電源軌的UVLO和熱關斷。 特性 高性能誤差放大器 >內部軟啟動/停止 0.5%內部電壓精度,0.8 V基準電壓 OCP精度,鎖存前四次重入時間無損差分電感電流檢測內部高精度電流檢測放大器振蕩器頻率范圍100 kHz 1000 kHz 20 ns自適應FET內部柵極驅動器非重疊時間 5.0 V至12 V操作支持1.5 V至19 V Vin Vout 0.8 V至3.3 V(具有12 VCC的5 V電壓)通過OSC引腳實現芯片功能鎖存過壓保護(OVP)內部固定OCP閾值保證啟動預充電負載 熱補償電流監控 Shutdow n保護集成MOSFET驅動器集成BOOST二極管,內部Rbst = 2.2 自動省電模式,最大限度地提高光效率負載運行同步功能遠程地面傳感這是一個無鉛設備 應用 桌面和服務器系統 電路圖、引腳圖和封裝圖...
發表于 07-29 17:02 ? 493次 閱讀

NCP3030 同步PWM控制器

0是一款PWM器件,設計用于寬輸入范圍,能夠產生低至0.6 V的輸出電壓.NCP3030提供集成柵極驅動器和內部設置的1.2 MHz(NCP3030A)或2.4 MHz( NCP3030B)振蕩器。 NCP3030還具有外部補償跨導誤差放大器,內置固定軟啟動。保護功能包括無損耗電流限制和短路保護,輸出過壓保護,輸出欠壓保護和輸入欠壓鎖定。 NCP3030目前采用SOIC-8封裝。 特性 優勢 輸入電壓4.7 V至28 V 從不同輸入電壓源調節的能力 0.8 V +/- 1.5%參考電壓 能夠實現低輸出電壓 1200 kHz操作(NCP3020B - 2400 kHz) 高頻操作允許使用小尺寸電感器和電容器 > 1A驅動能力 能夠驅動低Rdson高效MOSFET 電流限制和短路保護 高級保護功能 輸出過壓和欠壓檢測 高級保護功能 具有外部補償的跨導放大器 能夠利用所有陶瓷輸入和輸出電容器 集成升壓二極管 減少支持組件數量和成本 受管制的軟啟動 已結束軟啟動期間的環路調節可防止任何尖峰或下垂 AEC-Q100和PPAP兼容(NCV3030) 適用于汽車應用 應用 終端產品 ...
發表于 07-29 17:02 ? 321次 閱讀
NCP3030 同步PWM控制器
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